电光调制器是利用某些电光晶体，如铌酸锂晶体(linb03)、稼晶体(gaas)和钽酸锂晶体(lita03)的电光效应制成的调制器。电光效应即当把电压加到电光晶体上时，532nm电光相位调制器，电光晶体的折射率将发生变化，结果引起通过该晶体的光波特性的变化，实现对光信号的相位、幅度、强度以及偏振状态的调制。电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，532nm电光相位调制器报价，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向
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在电通信系统中，原始率数字信号电平的峰-峰值只有0.8v。因为数据率大于2.5gb/s的铌酸锂调制器的半波电压(vp)较高，532nm电光相位调制器，故都需要用驱动器来推动调制器。驱动器不仅要有很宽的工作频带，并且要能提供足够大的微波输出功率。例如：对于10gb/s、vp=5.5v的调制器，需要驱动器具有75khz 到8ghz的工作频带及20dbm(100mw)的1db输出功率。制作率的驱动器是非常困难的，因此制作具有低vp的调制器是很受欢迎的。
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电光调制器应用于激光通信的主要目的是对激光通信系统中激光器的速率、功率、宽带的宽进行有效调制，这要求电光调制器能够在无失真传输激光的基础上，实现对上述参数的有效调制。因此，进行电光调制器设计，应明确以下目标：高消光比、低驱动电压、高调制速度、较大的带宽、低损耗。
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